창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M009A090NG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M009A090NG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2740pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 312W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
표준 포장 | 1,800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M009A090NG | |
관련 링크 | GP2M009, GP2M009A090NG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | LQW18AN10NG00D | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 650mA 110 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN10NG00D.pdf | |
![]() | 610000000000 | 610000000000 ALTERA BGA | 610000000000.pdf | |
![]() | 2112FN | 2112FN IC SMD | 2112FN.pdf | |
![]() | XF2L10251 | XF2L10251 OMR SMD or Through Hole | XF2L10251.pdf | |
![]() | P11NC40FP | P11NC40FP ST TO-220 | P11NC40FP.pdf | |
![]() | MSM6352-83RS | MSM6352-83RS OKI DIP-40 | MSM6352-83RS.pdf | |
![]() | LM611MX | LM611MX NS SOP14 | LM611MX.pdf | |
![]() | ZNBG5116 | ZNBG5116 ZETEX TSOP | ZNBG5116.pdf | |
![]() | DS1219 | DS1219 DALLAS DIP8 | DS1219.pdf | |
![]() | 9014C-TIP-J-# | 9014C-TIP-J-# ORIGINAL SMD or Through Hole | 9014C-TIP-J-#.pdf |