창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M008A060PG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M008A060CG, PG(H) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1063pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 7,200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M008A060PG | |
관련 링크 | GP2M008, GP2M008A060PG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | MBR5100MFST1G | DIODE SCHOTTKY 100V 5A 5DFN | MBR5100MFST1G.pdf | |
![]() | PT7M8202A12ZE6EX | PT7M8202A12ZE6EX Pericom TDFN-6 | PT7M8202A12ZE6EX.pdf | |
![]() | TC74HC245AF(EL | TC74HC245AF(EL TOSHIBA SOP5.2 | TC74HC245AF(EL.pdf | |
![]() | 1N5820T | 1N5820T VISHAY SMD or Through Hole | 1N5820T.pdf | |
![]() | SOC494A | SOC494A MOT DIP-6 | SOC494A.pdf | |
![]() | SST5A125VTR 5A-1808 | SST5A125VTR 5A-1808 BEL SMD or Through Hole | SST5A125VTR 5A-1808.pdf | |
![]() | Z0860204PSC-1300 | Z0860204PSC-1300 ZiLog DIP-40 | Z0860204PSC-1300.pdf | |
![]() | FU1010Z | FU1010Z IR I-pak | FU1010Z.pdf | |
![]() | D4709N20T | D4709N20T ORIGINAL SMD or Through Hole | D4709N20T.pdf | |
![]() | CXD9516D | CXD9516D SONY DIP | CXD9516D.pdf | |
![]() | 1W20V IN4747 | 1W20V IN4747 M SMD or Through Hole | 1W20V IN4747.pdf |