창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M008A060FGH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M008A060FG(H), HG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 3.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1063pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1204-1 1560-1204-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M008A060FGH | |
| 관련 링크 | GP2M008A, GP2M008A060FGH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | DZN-2R7D105G5T | 1F Supercap 2.7V Radial, Can 300 mOhm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.315" Dia (8.00mm) | DZN-2R7D105G5T.pdf | |
![]() | EXB-38V514JV | RES ARRAY 4 RES 510K OHM 1206 | EXB-38V514JV.pdf | |
![]() | AC164138-1 | CARD DAUGHTER AUDIO PICTAIL | AC164138-1.pdf | |
![]() | 1020639 | 1020639 LEXMARK QFP | 1020639.pdf | |
![]() | MC74HC161ADR2G | MC74HC161ADR2G ON SOP3.9 | MC74HC161ADR2G.pdf | |
![]() | 2SK3568(STA4,Q,M | 2SK3568(STA4,Q,M TOSHIBA TO-220F | 2SK3568(STA4,Q,M.pdf | |
![]() | T110B156M020AT | T110B156M020AT KEMET SMD or Through Hole | T110B156M020AT.pdf | |
![]() | R21D02XT-PQ | R21D02XT-PQ ROHM SMD or Through Hole | R21D02XT-PQ.pdf | |
![]() | 12CWO10FN | 12CWO10FN VISHAY TO252 | 12CWO10FN.pdf | |
![]() | TYN60012T | TYN60012T ORIGINAL SMD or Through Hole | TYN60012T.pdf | |
![]() | GBD451616PGA500N | GBD451616PGA500N Got SMD | GBD451616PGA500N.pdf | |
![]() | CO66510-20.000-TR | CO66510-20.000-TR RALTRON SMD or Through Hole | CO66510-20.000-TR.pdf |