창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M007A080F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M007A080F | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1410pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1203-1 1560-1203-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M007A080F | |
| 관련 링크 | GP2M007, GP2M007A080F 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | ULN2003BPWR | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16TSSOP | ULN2003BPWR.pdf | |
![]() | TNPW040217K4BETD | RES SMD 17.4KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW040217K4BETD.pdf | |
![]() | PHP00805E5302BBT1 | RES SMD 53K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E5302BBT1.pdf | |
![]() | 3KV47PF | 3KV47PF STTH SMD or Through Hole | 3KV47PF.pdf | |
![]() | 52271-1790 | 52271-1790 ORIGINAL molex | 52271-1790.pdf | |
![]() | ABM3B-25.000MHZ-1 | ABM3B-25.000MHZ-1 ABRACON SMD | ABM3B-25.000MHZ-1.pdf | |
![]() | DTS6503 | DTS6503 DingDay SOT23-6L | DTS6503.pdf | |
![]() | MAX582CAI | MAX582CAI MAXIM SSOP | MAX582CAI.pdf | |
![]() | HZS7B1LTD-E | HZS7B1LTD-E RENESAS SMD or Through Hole | HZS7B1LTD-E.pdf | |
![]() | GA4A4M-T1(AA1) | GA4A4M-T1(AA1) NEC SOT323 | GA4A4M-T1(AA1).pdf | |
![]() | BZT52B24(24V) | BZT52B24(24V) VISHAY SMD or Through Hole | BZT52B24(24V).pdf |