창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M007A080F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M007A080F | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1410pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1203-1 1560-1203-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M007A080F | |
관련 링크 | GP2M007, GP2M007A080F 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | TC648BEPA | TC648BEPA MICROCHIP SMD or Through Hole | TC648BEPA.pdf | |
![]() | MS10100 | MS10100 MICROSEMI TO-220AC | MS10100.pdf | |
![]() | M37200M6-A12SP | M37200M6-A12SP MIT DIP | M37200M6-A12SP.pdf | |
![]() | TQ2-05V | TQ2-05V NAIS DIP | TQ2-05V.pdf | |
![]() | SD200R08 | SD200R08 IR DO-30 | SD200R08.pdf | |
![]() | MAX1653ESE | MAX1653ESE MAX SOP | MAX1653ESE.pdf | |
![]() | 100v100nf1206 | 100v100nf1206 HEC 1206 | 100v100nf1206.pdf | |
![]() | CV05X5R222M06AH | CV05X5R222M06AH KYOCERA SMD | CV05X5R222M06AH.pdf | |
![]() | OR3T30-5BA256I | OR3T30-5BA256I ORCA BGA | OR3T30-5BA256I.pdf | |
![]() | B32182 | B32182 SeoulSemiconducto SMD or Through Hole | B32182.pdf | |
![]() | VSC8538XGJ | VSC8538XGJ VITESSE NA | VSC8538XGJ.pdf | |
![]() | QA80186 | QA80186 INTEL PGA68 | QA80186.pdf |