Global Power Technologies Group GP2M004A065PG
;;3.jpeg)
- 제조업체 부품 번호
- GP2M004A065PG
- 제조업 자
- Global Power Technologies Group
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
GP2M004A065PG 가격 및 조달
가능 수량
12140 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 884.01440
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GP2M004A065PG 재고가 있습니다. 우리는 Global Power Technologies Group 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Global Power Technologies Group 전자 부품 전문. GP2M004A065PG 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GP2M004A065PG가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GP2M004A065PG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GP2M004A065PG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M004A065PG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M004A065CG, PG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 642pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 98.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1196-1 1560-1196-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M004A065PG | |
| 관련 링크 | GP2M004, GP2M004A065PG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
GP2M004A065PG 의 관련 제품
 | 1825WC472KAT3A | 4700pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825WC472KAT3A.pdf | |
 | SMR5104J100J03L16.5CBULK | 0.1µF Film Capacitor 63V 100V Polyphenylene Sulfide (PPS), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | SMR5104J100J03L16.5CBULK.pdf | |
 | IRFR3504ZTRLPBF | MOSFET N-CH 40V 42A DPAK | IRFR3504ZTRLPBF.pdf | |
 | SP1812-123H | 12µH Shielded Inductor 767mA 340 mOhm Max Nonstandard | SP1812-123H.pdf | |
 | M6E-NANO-DEVKIT | KIT DEV FOR M6E-NANO | M6E-NANO-DEVKIT.pdf | |
 | MS04A03T1V1 | MS04A03T1V1 ACC SMD or Through Hole | MS04A03T1V1.pdf | |
| IRKJ71/14 | IRKJ71/14 IR SMD or Through Hole | IRKJ71/14.pdf | |
| RJL-6V152MH5 | RJL-6V152MH5 ELNA DIP | RJL-6V152MH5.pdf | |
| BZX84C3V3LT1 NOPB | BZX84C3V3LT1 NOPB ON SOT23 | BZX84C3V3LT1 NOPB.pdf | |
| D5CC-881M50-D1 | D5CC-881M50-D1 FUJITSU SMD or Through Hole | D5CC-881M50-D1.pdf | |
| APW7093NI | APW7093NI ANPEC SSOP-16 | APW7093NI.pdf | |
| MAX1540AE | MAX1540AE MAXIM QFN | MAX1540AE.pdf |