창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M004A060CG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M004A060CG, PG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 545pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 86.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M004A060CG | |
관련 링크 | GP2M004, GP2M004A060CG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
CRCW251221K0FKEG | RES SMD 21K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251221K0FKEG.pdf | ||
Y078510K0000T9L | RES 10K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y078510K0000T9L.pdf | ||
HD6417727BP160CV | HD6417727BP160CV HITACHI BGA | HD6417727BP160CV.pdf | ||
IXP150 218S2EBWA43 | IXP150 218S2EBWA43 INTEL BGA | IXP150 218S2EBWA43.pdf | ||
FZTZ | FZTZ ORIGINAL 3SOT-23 | FZTZ.pdf | ||
LTC1051 | LTC1051 ORIGINAL c | LTC1051.pdf | ||
LC3564BT-10/70 | LC3564BT-10/70 MEMORY SMD | LC3564BT-10/70.pdf | ||
10*2 | 10*2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10*2.pdf | ||
SG-8002CE 13.000M | SG-8002CE 13.000M EPSON SMD or Through Hole | SG-8002CE 13.000M.pdf | ||
478CKR016M | 478CKR016M ILC SMD or Through Hole | 478CKR016M.pdf | ||
DLW43SH510XK2K | DLW43SH510XK2K MURATA SMD or Through Hole | DLW43SH510XK2K.pdf |