창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M002A065CG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M002A065CG, PG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6옴 @ 900mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 353pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M002A065CG | |
관련 링크 | GP2M002, GP2M002A065CG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | 9C08600011 | 8.6016MHZ ±30ppm 수정 20pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C08600011.pdf | |
![]() | 74ABT899C | 74ABT899C F SOP28 | 74ABT899C.pdf | |
![]() | M56770FP, | M56770FP, MIT SMD-20 | M56770FP,.pdf | |
![]() | PDMB50T6 | PDMB50T6 NIEC SMD or Through Hole | PDMB50T6.pdf | |
![]() | 0603N101K500NT | 0603N101K500NT SYNTON SMD or Through Hole | 0603N101K500NT.pdf | |
![]() | 2SC3168 | 2SC3168 TOSHIBA TO-3 | 2SC3168.pdf | |
![]() | PTQA430025P2AD | PTQA430025P2AD TI DIP-8 | PTQA430025P2AD.pdf | |
![]() | TW2E-48V | TW2E-48V MATSUSHITA RELAY | TW2E-48V.pdf | |
![]() | CSTCG28M0V51-R0 | CSTCG28M0V51-R0 MURATA SMD | CSTCG28M0V51-R0.pdf | |
![]() | SKT160/08C | SKT160/08C ORIGINAL MODULE | SKT160/08C.pdf | |
![]() | 281E6301157KR | 281E6301157KR MATSUO SMD | 281E6301157KR.pdf | |
![]() | SAFC836ML1C0T | SAFC836ML1C0T MURATA SMD or Through Hole | SAFC836ML1C0T.pdf |