창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP2M002A060PG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP2M002A060CG, PG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 52.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 7,200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP2M002A060PG | |
관련 링크 | GP2M002, GP2M002A060PG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
C1825X123JBGACTU | 0.012µF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | C1825X123JBGACTU.pdf | ||
LQW15AN19NJ00D | 19nH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 270 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN19NJ00D.pdf | ||
CPL10R1000JB143 | RES 0.1 OHM 10W 5% AXIAL | CPL10R1000JB143.pdf | ||
RT22C2W202 | RT22C2W202 BOURNS SMD or Through Hole | RT22C2W202.pdf | ||
ISL1558IRZ KEMOTA | ISL1558IRZ KEMOTA INTERSIL QFN | ISL1558IRZ KEMOTA.pdf | ||
T495D476M016AH | T495D476M016AH KEMET SMD or Through Hole | T495D476M016AH.pdf | ||
CSTCC3M64G53A-R0 | CSTCC3M64G53A-R0 MURATA SMD | CSTCC3M64G53A-R0.pdf | ||
R100J22H | R100J22H NA SMD or Through Hole | R100J22H.pdf | ||
74HC73D,652 | 74HC73D,652 NXP SOP-143.9 | 74HC73D,652.pdf | ||
M54133FP | M54133FP MITSUBI SOP16 | M54133FP.pdf | ||
ADM823YYKS | ADM823YYKS ADI SMD or Through Hole | ADM823YYKS.pdf | ||
NB2305ACD | NB2305ACD N SOP | NB2305ACD.pdf |