홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » GP2M002A060FG

Global Power Technologies Group GP2M002A060FG

GP2M002A060FG
제조업체 부품 번호
GP2M002A060FG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 2A TO220F
데이터 시트 다운로드
다운로드
GP2M002A060FG 가격 및 조달

가능 수량

9535 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 704.24600
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 GP2M002A060FG 재고가 있습니다. 우리는 Global Power Technologies Group 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Global Power Technologies Group 전자 부품 전문. GP2M002A060FG 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GP2M002A060FG가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
GP2M002A060FG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
GP2M002A060FG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-GP2M002A060FG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서GP2M002A060FG, HG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4옴 @ 1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs9nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds360pF @ 25V
전력 - 최대17.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3 풀팩(Full Pack)
공급 장치 패키지TO-220F
표준 포장 1
다른 이름1560-1193-1
1560-1193-1-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)GP2M002A060FG
관련 링크GP2M002, GP2M002A060FG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통
GP2M002A060FG 의 관련 제품
RES SMD 4.32K OHM 0.5% 1/8W 0805 RT0805DRE074K32L.pdf
MB89P195APF-G-BND FUJITSU SOP MB89P195APF-G-BND.pdf
RFR50-10TZ ORIGINAL SMD or Through Hole RFR50-10TZ.pdf
40880 AITMARK SOP8 40880.pdf
AP34063CM-E1 AP SOP-8 AP34063CM-E1.pdf
SYF-1E684M-RA2 ELNA SMD or Through Hole SYF-1E684M-RA2.pdf
SDD-140 ORIGINAL SMD or Through Hole SDD-140.pdf
AS7C256A15TC ALLI SMD or Through Hole AS7C256A15TC.pdf
CDT-6EPN22-00 CDT SMD or Through Hole CDT-6EPN22-00.pdf
0473521001+ MOLEX SMD or Through Hole 0473521001+.pdf
N0154A P/N SIP-14P N0154A.pdf