창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1S53VJ000F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1S53VJ000F | |
| PCN 설계/사양 | Internal Emitter Chip 04/May/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 2775 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 광 센서 - 광 차단기 - 슬롯형 - 트랜지스터 출력 | |
| 제조업체 | Sharp Microelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 감지 거리 | 0.197"(5mm) | |
| 감지 방법 | 투과형 | |
| 출력 구성 | 광트랜지스터 | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 35V | |
| 응답 시간 | 3µs, 4µs | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP | |
| 유형 | 비증폭 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 425-1972 425-1972-5 425-1972-5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1S53VJ000F | |
| 관련 링크 | GP1S53V, GP1S53VJ000F 데이터 시트, Sharp Microelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | LCE18A | TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO201 | LCE18A.pdf | |
| TJT1502R2J | RES CHAS MNT 2.2 OHM 5% 150W | TJT1502R2J.pdf | ||
![]() | TNPW2512560RBEEY | RES SMD 560 OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512560RBEEY.pdf | |
![]() | UMZ-198-D16 | UMZ-198-D16 RFMD VCO | UMZ-198-D16.pdf | |
![]() | 8S17SM950T6-ZOV | 8S17SM950T6-ZOV ORIGINAL SMD or Through Hole | 8S17SM950T6-ZOV.pdf | |
![]() | 40H166F | 40H166F TOSHIBA SOP16 | 40H166F.pdf | |
![]() | S-AV39 | S-AV39 TOSHIBA SMD or Through Hole | S-AV39.pdf | |
![]() | HH-GP024 | HH-GP024 ORIGINAL SMD or Through Hole | HH-GP024.pdf | |
![]() | PEB2092N-V1.1 | PEB2092N-V1.1 SIEM PLCC | PEB2092N-V1.1.pdf | |
![]() | ST41T11 | ST41T11 ST SOP-8 | ST41T11.pdf |