창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1S53VJ000F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1S53VJ000F | |
| PCN 설계/사양 | Internal Emitter Chip 04/May/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 2775 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 광 센서 - 광 차단기 - 슬롯형 - 트랜지스터 출력 | |
| 제조업체 | Sharp Microelectronics | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 감지 거리 | 0.197"(5mm) | |
| 감지 방법 | 투과형 | |
| 출력 구성 | 광트랜지스터 | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 50mA | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 20mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 35V | |
| 응답 시간 | 3µs, 4µs | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-DIP | |
| 유형 | 비증폭 | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 다른 이름 | 425-1972 425-1972-5 425-1972-5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1S53VJ000F | |
| 관련 링크 | GP1S53V, GP1S53VJ000F 데이터 시트, Sharp Microelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012P-4120-W-T5 | RES SMD 412 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-4120-W-T5.pdf | |
![]() | CRA06P04333K0JTA | RES ARRAY 2 RES 33K OHM 0606 | CRA06P04333K0JTA.pdf | |
![]() | RNF14FTE3K01 | RES 3.01K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTE3K01.pdf | |
![]() | AC1002KPB | AC1002KPB BROADCOM BGA | AC1002KPB.pdf | |
![]() | EYHS77W15 | EYHS77W15 ORIGINAL SMD or Through Hole | EYHS77W15.pdf | |
![]() | AES1711-I-PZ-CA-B30B | AES1711-I-PZ-CA-B30B AUTHENTEC SMD or Through Hole | AES1711-I-PZ-CA-B30B.pdf | |
![]() | 8412N/2GL | 8412N/2GL EBM/PAPST SMD or Through Hole | 8412N/2GL.pdf | |
![]() | CY7C1345B100AC | CY7C1345B100AC CYP PQFP | CY7C1345B100AC.pdf | |
![]() | DF20-40DP-1V(59) | DF20-40DP-1V(59) HRS SMD or Through Hole | DF20-40DP-1V(59).pdf | |
![]() | M54408P | M54408P MIT N A | M54408P.pdf | |
![]() | G2V-234P-US-DC06 | G2V-234P-US-DC06 OMRON SMD or Through Hole | G2V-234P-US-DC06.pdf | |
![]() | 7001-08101-6510500 | 7001-08101-6510500 MURR SMD or Through Hole | 7001-08101-6510500.pdf |