창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M020A060N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M020A060N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 330m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2097pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 347W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 1,800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M020A060N | |
| 관련 링크 | GP1M020, GP1M020A060N 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
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![]() | LD08GA100JAB1A | 10pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | LD08GA100JAB1A.pdf | |
![]() | HK212518NJ-T | 18nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 450 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | HK212518NJ-T.pdf | |
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![]() | 40J22RE | RES 22 OHM 10W 5% AXIAL | 40J22RE.pdf | |
![]() | x9c102C | x9c102C XICOR SOP8 | x9c102C.pdf | |
![]() | S3CA-13 | S3CA-13 DIODES DO214AC | S3CA-13.pdf | |
![]() | 1641I | 1641I LINEAR SMD or Through Hole | 1641I.pdf | |
![]() | BH31MA3WHFV | BH31MA3WHFV Rohm SMD or Through Hole | BH31MA3WHFV.pdf | |
![]() | KM4132G512AQ-7 | KM4132G512AQ-7 SAMSUNG SMD or Through Hole | KM4132G512AQ-7.pdf | |
![]() | G5114T1Uf | G5114T1Uf APEC SOT23-5 | G5114T1Uf.pdf | |
![]() | T589N17TOF | T589N17TOF EUPEC SMD or Through Hole | T589N17TOF.pdf |