창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M016A025HG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M016A025FG, HG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 944pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 93.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1185-1 1560-1185-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M016A025HG | |
관련 링크 | GP1M016, GP1M016A025HG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | CC1206KKX7RABB273 | 0.027µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206KKX7RABB273.pdf | |
![]() | P6SMB33A-E3/5B | TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC SMB | P6SMB33A-E3/5B.pdf | |
![]() | AD7477SRT-REEL7 | AD7477SRT-REEL7 AD SOT-23-6 | AD7477SRT-REEL7.pdf | |
![]() | SY56216RMG | SY56216RMG ORIGINAL SMD or Through Hole | SY56216RMG.pdf | |
![]() | 1SS422 | 1SS422 TOSHIBA SOD523 | 1SS422.pdf | |
![]() | BY228/33 | BY228/33 PHILIPS SMD or Through Hole | BY228/33.pdf | |
![]() | M38514M6-05OFP | M38514M6-05OFP ORIGINAL SOP-44 | M38514M6-05OFP.pdf | |
![]() | 3N910J | 3N910J ORIGINAL SMD or Through Hole | 3N910J.pdf | |
![]() | ELKL4GG1R8N | ELKL4GG1R8N ORIGINAL SMD or Through Hole | ELKL4GG1R8N.pdf | |
![]() | MAX1561ETAT | MAX1561ETAT MAXIM TDFN-8 | MAX1561ETAT.pdf | |
![]() | HGTG10N120BNS | HGTG10N120BNS ORIGINAL SMD or Through Hole | HGTG10N120BNS.pdf | |
![]() | 8S-3MR | 8S-3MR Cirmaker SMD or Through Hole | 8S-3MR.pdf |