창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M016A025FG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M016A025FG, HG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 944pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1184-1 1560-1184-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M016A025FG | |
| 관련 링크 | GP1M016, GP1M016A025FG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9001AI-23-33D5-24.00000Y | OSC XO 3.3V 24MHZ SD -1.0% | SIT9001AI-23-33D5-24.00000Y.pdf | |
![]() | BZX84-C2V7,215 | DIODE ZENER 2.7V 250MW SOT23 | BZX84-C2V7,215.pdf | |
![]() | BZX55C3V9-TAP | DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35 | BZX55C3V9-TAP.pdf | |
![]() | KTR10EZPF7870 | RES SMD 787 OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF7870.pdf | |
![]() | CN12106_LENA-S | CN12106_LENA-S LEDIL SMD or Through Hole | CN12106_LENA-S.pdf | |
![]() | STC12C0552-35C-PLCC32 | STC12C0552-35C-PLCC32 STC PLCC32 | STC12C0552-35C-PLCC32.pdf | |
![]() | 215R6LAFA12E ATI7000 VE | 215R6LAFA12E ATI7000 VE ATi BGA | 215R6LAFA12E ATI7000 VE.pdf | |
![]() | 81C18G-R | 81C18G-R UTC/ SOT-23TR | 81C18G-R.pdf | |
![]() | 900AGQ-CT | 900AGQ-CT ESW SMD or Through Hole | 900AGQ-CT.pdf | |
![]() | WM8766ED | WM8766ED WM SMD or Through Hole | WM8766ED.pdf | |
![]() | 78PR20KLF-302E | 78PR20KLF-302E BI DIP | 78PR20KLF-302E.pdf | |
![]() | TSM5PGHJ-LF-2 | TSM5PGHJ-LF-2 MSTAR QFP | TSM5PGHJ-LF-2.pdf |