Global Power Technologies Group GP1M010A080FH
- 제조업체 부품 번호
- GP1M010A080FH
- 제조업 자
- Global Power Technologies Group
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220F
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
GP1M010A080FH 가격 및 조달
가능 수량
9550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,594.43900
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GP1M010A080FH 재고가 있습니다. 우리는 Global Power Technologies Group 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Global Power Technologies Group 전자 부품 전문. GP1M010A080FH 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GP1M010A080FH가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GP1M010A080FH 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GP1M010A080FH 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M010A080FH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M010A080(F)H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05옴 @ 4.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2336pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 48W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1176-1 1560-1176-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M010A080FH | |
| 관련 링크 | GP1M010, GP1M010A080FH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
GP1M010A080FH 의 관련 제품
 | FA24X7R1H684KRU06 | 0.68µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.177" L x 0.118" W(4.50mm x 3.00mm) | FA24X7R1H684KRU06.pdf | |
 | 18122C184KAT2A | 0.18µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18122C184KAT2A.pdf | |
 | MLG0603P1N8CTD25 | 1.8nH Unshielded Multilayer Inductor 700mA 100 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P1N8CTD25.pdf | |
 | SFH640-3X007T | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD | SFH640-3X007T.pdf | |
| P51-50-A-AF-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Absolute Male - 9/16" (14.29mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-50-A-AF-I12-5V-000-000.pdf | |
 | STR-A6051M | Converter Offline Flyback Topology 67kHz 8-DIP | STR-A6051M.pdf | |
| CEP9926 | CEP9926 INFINEOR SOP8 | CEP9926.pdf | |
| EL4331C | EL4331C ORIGINAL SOP | EL4331C.pdf | |
| OB2258 | OB2258 OB DIP8 | OB2258.pdf | |
| 5437J | 5437J TI DIP | 5437J.pdf | |
| TLP3063(S，T) | TLP3063(S，T) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP3063(S，T).pdf | |
| BCM5691 | BCM5691 BROADCOM SMD or Through Hole | BCM5691.pdf |