창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M009A050FSH | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M009A050HS, FSH | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1195pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M009A050FSH | |
관련 링크 | GP1M009A, GP1M009A050FSH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | CDBA5819-G | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC | CDBA5819-G.pdf | |
![]() | Y16273K30000T9R | RES SMD 3.3K OHM 0.01% 1/2W 2010 | Y16273K30000T9R.pdf | |
RSMF12FTR150 | RES MO 1/2W 0.15 OHM 1% AXIAL | RSMF12FTR150.pdf | ||
![]() | V2118C400Y1RP | V2118C400Y1RP AVX SMD | V2118C400Y1RP.pdf | |
![]() | HD6417709RF100 | HD6417709RF100 HITACHI QFP | HD6417709RF100.pdf | |
![]() | SBR62P01A | SBR62P01A MAP SMD or Through Hole | SBR62P01A.pdf | |
![]() | 54F23DM | 54F23DM NSC/S CDIP | 54F23DM.pdf | |
![]() | 63C16258LJ-50 | 63C16258LJ-50 SOJ ALAR | 63C16258LJ-50.pdf | |
![]() | 5-103326-5 | 5-103326-5 AMP SMD or Through Hole | 5-103326-5.pdf | |
![]() | 33L3073 | 33L3073 IBM Tray | 33L3073.pdf | |
![]() | TPA2000D1TPWRQ1 | TPA2000D1TPWRQ1 ORIGINAL SMD or Through Hole | TPA2000D1TPWRQ1.pdf | |
![]() | 2N7002ZTG-AN3-R | 2N7002ZTG-AN3-R UTC SOT-523 | 2N7002ZTG-AN3-R.pdf |