창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A080H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M008A080(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1921pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1170-1 1560-1170-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A080H | |
관련 링크 | GP1M008, GP1M008A080H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | CW0108R200JE73 | RES 8.2 OHM 13W 5% AXIAL | CW0108R200JE73.pdf | |
![]() | CAB-09GG/10 | CAB-09GG/10 BQCABLE SMD or Through Hole | CAB-09GG/10.pdf | |
![]() | HP81F643242C5 | HP81F643242C5 PMI TSOP2 | HP81F643242C5.pdf | |
![]() | PCI9060SD-1AF | PCI9060SD-1AF ORIGINAL SMD or Through Hole | PCI9060SD-1AF.pdf | |
![]() | SIRF3TW8220D | SIRF3TW8220D ORIGINAL BGA | SIRF3TW8220D.pdf | |
![]() | SFS1604G | SFS1604G TAIWAN D2PAK | SFS1604G.pdf | |
![]() | m9988 | m9988 MIT SMD or Through Hole | m9988.pdf | |
![]() | QUADRO-NVS-50P-C1 | QUADRO-NVS-50P-C1 NVIDIA BGA | QUADRO-NVS-50P-C1.pdf | |
![]() | SH1090 | SH1090 ORIGINAL QFP | SH1090.pdf | |
![]() | XRJF-1-01-88-F3A-MD41 | XRJF-1-01-88-F3A-MD41 ORIGINAL RJ45 | XRJF-1-01-88-F3A-MD41.pdf | |
![]() | RJH-35V332MK9 | RJH-35V332MK9 ELNA SMD or Through Hole | RJH-35V332MK9.pdf | |
![]() | MCP23S17ESP | MCP23S17ESP Microchip SMD or Through Hole | MCP23S17ESP.pdf |