창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A080H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M008A080(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1921pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1170-1 1560-1170-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A080H | |
관련 링크 | GP1M008, GP1M008A080H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | 416F3201XAKR | 32MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3201XAKR.pdf | |
![]() | PE0402FRF7W0R36L | RES SMD 0.36 OHM 1% 1/8W 0402 | PE0402FRF7W0R36L.pdf | |
![]() | ERJ-L12UF43MU | RES SMD 0.043 OHM 1% 1/2W 1812 | ERJ-L12UF43MU.pdf | |
![]() | T27C | T27C ST MSOP8 | T27C.pdf | |
![]() | TPS767D301IDBRG4 | TPS767D301IDBRG4 TI TSSOP | TPS767D301IDBRG4.pdf | |
![]() | IRFZ44N PBF | IRFZ44N PBF IR TO-220 | IRFZ44N PBF.pdf | |
![]() | LT1969IMS | LT1969IMS LINEAR MSOP10 | LT1969IMS.pdf | |
![]() | S30S35C | S30S35C MOSPEC TO-263-3 | S30S35C.pdf | |
![]() | SNJ54LS174 | SNJ54LS174 MOT DIP | SNJ54LS174.pdf | |
![]() | TPS2123L2 | TPS2123L2 TI SOP8 | TPS2123L2.pdf | |
![]() | LT5575EUP | LT5575EUP LT QFN16 | LT5575EUP.pdf | |
![]() | 74LVC244ANSR | 74LVC244ANSR TI SOP | 74LVC244ANSR.pdf |