창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A080FH | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M008A080(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1921pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A080FH | |
관련 링크 | GP1M008, GP1M008A080FH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
9B-13.560MAAE-B | 13.56MHz ±30ppm 수정 12pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-13.560MAAE-B.pdf | ||
SIT8008BC-83-33E-11.059200X | OSC XO 3.3V 11.0592MHZ OE | SIT8008BC-83-33E-11.059200X.pdf | ||
RNF18FTD1K13 | RES 1.13K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD1K13.pdf | ||
RJ4-450V3R3MH4 | RJ4-450V3R3MH4 ELNA DIP | RJ4-450V3R3MH4.pdf | ||
LPC3153FET180 | LPC3153FET180 NXP TFBGA180 | LPC3153FET180.pdf | ||
LR1121B-2.8V-A-R | LR1121B-2.8V-A-R UTC SOT-25 | LR1121B-2.8V-A-R.pdf | ||
STPR1002CF | STPR1002CF ST TO-220F | STPR1002CF.pdf | ||
XC957XL-10VQG640962 | XC957XL-10VQG640962 XILINX QFP | XC957XL-10VQG640962.pdf | ||
1N4321 | 1N4321 PH SMD or Through Hole | 1N4321.pdf | ||
KI-0084 | KI-0084 ORIGINAL DIP-8 | KI-0084.pdf |