창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A080FH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP1M008A080(F)H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1921pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP1M008A080FH | |
| 관련 링크 | GP1M008, GP1M008A080FH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
|  | 380LX561M250J452 | 560µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 355 mOhm 3000 Hrs @ 85°C | 380LX561M250J452.pdf | |
|  | VS-VSKC71/14 | DIODE GEN PURP 1.4KV 40A ADDAPAK | VS-VSKC71/14.pdf | |
|  | DP11H3015A30F | DP11 HOR 15P 30DET 30F M7*5MM | DP11H3015A30F.pdf | |
|  | WISMO228_0D216R04F | WISMO228_0D216R04F WAVECOMSA SMD or Through Hole | WISMO228_0D216R04F.pdf | |
|  | B32529C3154-J189 | B32529C3154-J189 EPCOS SMD | B32529C3154-J189.pdf | |
|  | MCT210XSM | MCT210XSM ISOCOM DIPSOP | MCT210XSM.pdf | |
|  | LTC4413EDDTRPBF | LTC4413EDDTRPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LTC4413EDDTRPBF.pdf | |
|  | 22102031 | 22102031 Molex SMD or Through Hole | 22102031.pdf | |
|  | C56082-011 | C56082-011 INTEL SMD or Through Hole | C56082-011.pdf | |
|  | 84VD2219FM-70 | 84VD2219FM-70 KOREA BGA | 84VD2219FM-70.pdf | |
|  | RQJ0304DQDQSTL | RQJ0304DQDQSTL RENESAS SOT-89 | RQJ0304DQDQSTL.pdf | |
|  | FX509-N-TL-E | FX509-N-TL-E SANYO SOT-89-5 | FX509-N-TL-E.pdf |