창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M008A050PG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M008A050CG, PG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 937pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 7,200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M008A050PG | |
관련 링크 | GP1M008, GP1M008A050PG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | 5E16PT15.5 | FUSE CRTRDGE 5A 15.5KVAC NON STD | 5E16PT15.5.pdf | |
DRA125-1R0-R | 1µH Shielded Wirewound Inductor 15.94A 2.1 mOhm Nonstandard | DRA125-1R0-R.pdf | ||
![]() | RT1206FRE07510RL | RES SMD 510 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE07510RL.pdf | |
![]() | USB331x | USB331x SMSC BUYIC | USB331x.pdf | |
![]() | TA78DL08AF | TA78DL08AF TOSHIBA TO-252 | TA78DL08AF.pdf | |
![]() | P29FCT521P | P29FCT521P PERF DIP24 | P29FCT521P.pdf | |
![]() | MBM27C1000A-15Z | MBM27C1000A-15Z FUJITSU DIP-32 | MBM27C1000A-15Z.pdf | |
![]() | VP32BA472GAT | VP32BA472GAT VISHAY SMD or Through Hole | VP32BA472GAT.pdf | |
![]() | CY7C1320 | CY7C1320 CY BGA | CY7C1320.pdf | |
![]() | 256LF-3.6864-6 | 256LF-3.6864-6 FOX SMD or Through Hole | 256LF-3.6864-6.pdf | |
![]() | ST-77S | ST-77S Goot SMD or Through Hole | ST-77S.pdf |