홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » GP1M008A050HG

Global Power Technologies Group GP1M008A050HG

GP1M008A050HG
제조업체 부품 번호
GP1M008A050HG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
데이터 시트 다운로드
다운로드
GP1M008A050HG 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,084.16900
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 GP1M008A050HG 재고가 있습니다. 우리는 Global Power Technologies Group 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Global Power Technologies Group 전자 부품 전문. GP1M008A050HG 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GP1M008A050HG가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
GP1M008A050HG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
GP1M008A050HG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-GP1M008A050HG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서GP1M008A050FG, HG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs850m옴 @ 4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs21nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds937pF @ 25V
전력 - 최대120W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220
표준 포장 1
다른 이름1560-1169-1
1560-1169-1-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)GP1M008A050HG
관련 링크GP1M008, GP1M008A050HG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통
GP1M008A050HG 의 관련 제품
330pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) 1808GC331MAT1A.pdf
OSC XO 1.8V 12MHZ OE SIT8008AC-21-18E-12.000000D.pdf
GA2000 GASIN DIP GA2000.pdf
CE053R836DCA-T MURATA SMD or Through Hole CE053R836DCA-T.pdf
IRFP32N50K IR SMD or Through Hole IRFP32N50K.pdf
LEG-5F RAYEXELECTRONIC SMD or Through Hole LEG-5F.pdf
2SD695 TOS SMD or Through Hole 2SD695.pdf
LP953IM NSC SOP-16 LP953IM.pdf
F995* ORIGINAL SMD or Through Hole F995*.pdf
1T186H NX DIP-3 1T186H.pdf