창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M007A090H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M007A090(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.9옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1969pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 1560-1165-1 1560-1165-1-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M007A090H | |
관련 링크 | GP1M007, GP1M007A090H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | ASTMHTV-25.000MHZ-AK-E-T | 25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-25.000MHZ-AK-E-T.pdf | |
![]() | AC2512FK-07976RL | RES SMD 976 OHM 1% 1W 2512 | AC2512FK-07976RL.pdf | |
![]() | CMF70301R00FKEA | RES 301 OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF70301R00FKEA.pdf | |
![]() | CW01051K00KE73 | RES 51K OHM 13W 10% AXIAL | CW01051K00KE73.pdf | |
![]() | P8031H | P8031H INTEL DIP | P8031H.pdf | |
![]() | A4L6U2 | A4L6U2 IOR BGA | A4L6U2.pdf | |
![]() | 501MI | 501MI IDT SMD or Through Hole | 501MI.pdf | |
![]() | 2SC4838 | 2SC4838 MITSUBISHI SMD or Through Hole | 2SC4838.pdf | |
![]() | XD-24W | XD-24W ORIGINAL SMD or Through Hole | XD-24W.pdf | |
![]() | RGC315PJ101 | RGC315PJ101 FIRSTRONELECTRONI SMD or Through Hole | RGC315PJ101.pdf | |
![]() | TZB4P300AB10R00(TZBX4P300BA110T00) | TZB4P300AB10R00(TZBX4P300BA110T00) MURATA 4X4-30P | TZB4P300AB10R00(TZBX4P300BA110T00).pdf | |
![]() | 1512145UG3 | 1512145UG3 CMLSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | 1512145UG3.pdf |