창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GP1M004A090H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GP1M004A090(F)H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Global Power Technologies Group | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 955pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 123W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GP1M004A090H | |
관련 링크 | GP1M004, GP1M004A090H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D4R7CXBAP | 4.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D4R7CXBAP.pdf | |
![]() | TAJD157K016RNJ | 150µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TAJD157K016RNJ.pdf | |
![]() | SM8S10HE3/2E | TVS DIODE 10VWM 17VC DO-218AB | SM8S10HE3/2E.pdf | |
![]() | TM7EP203 | 20k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 3 Turn Top Adjustment | TM7EP203.pdf | |
![]() | CRGH2010F60R4 | RES SMD 60.4 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F60R4.pdf | |
![]() | LTC761CH | LTC761CH ORIGINAL CAN | LTC761CH.pdf | |
![]() | 74435572200- | 74435572200- WE SMD | 74435572200-.pdf | |
![]() | MLL3821A-1 | MLL3821A-1 MICROSEMI SMD | MLL3821A-1.pdf | |
![]() | SMPC02A071A | SMPC02A071A SUNPLUS SOP | SMPC02A071A.pdf | |
![]() | 2010 5% 7.5R | 2010 5% 7.5R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 5% 7.5R.pdf |