Global Power Technologies Group GP1M003A080CH

GP1M003A080CH
제조업체 부품 번호
GP1M003A080CH
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
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내부 부품 번호EIS-GP1M003A080CH
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서GP1M003A080xH
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.2옴 @ 1.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs19nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds696pF @ 25V
전력 - 최대94W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252,(D-Pak)
표준 포장 2,500
다른 이름1560-1155-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)GP1M003A080CH
관련 링크GP1M003, GP1M003A080CH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통
GP1M003A080CH 의 관련 제품
50MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F50035IAR.pdf
RELAY 200MW 3V HV 6-1462034-6.pdf
IC HALL EFFECT SWITCH TSOT23 MLX92241LSE-AAA-013-RE.pdf
RH108A LT 8-LeadCERDIP RH108A.pdf
A16M00018 raltron SMD or Through Hole A16M00018.pdf
BTB12-800B APT TO-3P BTB12-800B.pdf
PL3502 PL DIP-8SOP-8 PL3502.pdf
VI-AIM-CV/F3 VICOR SMD or Through Hole VI-AIM-CV/F3.pdf
EUED2C680 Panasonic DIP-2 EUED2C680.pdf
PLC30F300A1 POSITRONICIND SMD or Through Hole PLC30F300A1.pdf
STP21NM50 ST TO-220 STP21NM50.pdf
MMBT5551 G1 CJ SOT-23 MMBT5551 G1.pdf