Global Power Technologies Group GP1M003A080CH

GP1M003A080CH
제조업체 부품 번호
GP1M003A080CH
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
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내부 부품 번호EIS-GP1M003A080CH
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서GP1M003A080xH
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Global Power Technologies Group
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)800V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.2옴 @ 1.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs19nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds696pF @ 25V
전력 - 최대94W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252,(D-Pak)
표준 포장 2,500
다른 이름1560-1155-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)GP1M003A080CH
관련 링크GP1M003, GP1M003A080CH 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통
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