- GN1F4M-T2(M32)

GN1F4M-T2(M32)
제조업체 부품 번호
GN1F4M-T2(M32)
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 구성 요소 - 2
간단한 설명
GN1F4M-T2(M32) NEC SOT323
데이터 시트 다운로드
다운로드
GN1F4M-T2(M32) 가격 및 조달

가능 수량

111450 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 GN1F4M-T2(M32) 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. GN1F4M-T2(M32) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GN1F4M-T2(M32)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
GN1F4M-T2(M32) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
GN1F4M-T2(M32) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-GN1F4M-T2(M32)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈GN1F4M-T2(M32)
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SOT323
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) GN1F4M-T2(M32)
관련 링크GN1F4M-T, GN1F4M-T2(M32) 데이터 시트, - 에이전트 유통
GN1F4M-T2(M32) 의 관련 제품
3900pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) VJ1206Y392JBCAT4X.pdf
OSC XO 3.3V 100MHZ SIT9120AI-2B2-33E100.000000Y.pdf
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL 1N4007GPE-M3/73.pdf
220µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 3.11 Ohm Max 2512 (6432 Metric) IDC2512ER221M.pdf
Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 4 Channel 16-SO TLP293-4(V4-GB,E.pdf
2SD857A-P TOSHIBA DIP 2SD857A-P.pdf
AD-6001B BOTHHAND SOPDIP AD-6001B.pdf
POWSPWK TI TSSOP POWSPWK.pdf
XC2V4000-5BF957I XILINX BGA XC2V4000-5BF957I.pdf
RC1E335M04005VR180 ORIGINAL SMD or Through Hole RC1E335M04005VR180.pdf
TDA9365PS/N2/3I1048 PHILIPS DIP-64 TDA9365PS/N2/3I1048.pdf
450TXW150M18X45 Rubycon DIP-2 450TXW150M18X45.pdf