창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GMM2644233CNTG10K1/GM72V1682 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GMM2644233CNTG10K1/GM72V1682 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIMM | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GMM2644233CNTG10K1/GM72V1682 | |
관련 링크 | GMM2644233CNTG10, GMM2644233CNTG10K1/GM72V1682 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | DSC1001CC1-047.3333 | 47.3333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001CC1-047.3333.pdf | |
![]() | 2N6071ATG | TRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA | 2N6071ATG.pdf | |
![]() | ELL-ATV6R8N | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 4A 16 mOhm Nonstandard | ELL-ATV6R8N.pdf | |
![]() | Y1121180R000T0L | RES SMD 180OHM 0.01% 1/4W J LEAD | Y1121180R000T0L.pdf | |
![]() | RA1RN11H12-E1000 | RA1RN11H12-E1000 JAE SMD or Through Hole | RA1RN11H12-E1000.pdf | |
![]() | MN1872013J/XP/XL2/GO2 | MN1872013J/XP/XL2/GO2 Nat DIP | MN1872013J/XP/XL2/GO2.pdf | |
![]() | UTC1197C | UTC1197C NEC DIP | UTC1197C.pdf | |
![]() | NC3107-01 | NC3107-01 N/A NA | NC3107-01.pdf | |
![]() | IN5822RLG | IN5822RLG ON ON | IN5822RLG.pdf | |
![]() | TC9106P | TC9106P TOSHIBA DIP | TC9106P.pdf | |
![]() | BZX79-C15.133 | BZX79-C15.133 NXP na | BZX79-C15.133.pdf |