창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GL41M-E3/97 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BYM10-xxx, GL41x Packaging Information | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | SUPERECTIFIER® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1000V(1kV) | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1000V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AB, MELF(유리) | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GL41M-E3/97 | |
| 관련 링크 | GL41M-, GL41M-E3/97 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | IRF1010NSTRRPBF | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | IRF1010NSTRRPBF.pdf | |
|  | T399F685K035AS | T399F685K035AS KEMET DIP | T399F685K035AS.pdf | |
|  | CRA108102JV | CRA108102JV HOKURIKU SMD | CRA108102JV.pdf | |
|  | SE3900 | SE3900 ORIGINAL TO-92 | SE3900.pdf | |
|  | EA2-3TNJ | EA2-3TNJ NEC SMD or Through Hole | EA2-3TNJ.pdf | |
|  | BRADY-AS11 | BRADY-AS11 Brady SMD or Through Hole | BRADY-AS11.pdf | |
|  | XC2C256-4FT256I | XC2C256-4FT256I XILINX BGA | XC2C256-4FT256I.pdf | |
|  | 19-12731 | 19-12731 ORIGINAL DIP | 19-12731.pdf | |
|  | H13-201-J | H13-201-J ORIGINAL DIP16 | H13-201-J.pdf | |
|  | IDT5V49EE504NLGI | IDT5V49EE504NLGI IDT SMD or Through Hole | IDT5V49EE504NLGI.pdf | |
|  | XC4VLX25-11SFG363I | XC4VLX25-11SFG363I XILINX BGA | XC4VLX25-11SFG363I.pdf |