창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GL2HY6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GL2HY6 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GL2HY6 | |
| 관련 링크 | GL2, GL2HY6 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CJT803R9JJ | RES CHAS MNT 3.9 OHM 5% 80W | CJT803R9JJ.pdf | |
![]() | RT0805FRD079K1L | RES SMD 9.1K OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD079K1L.pdf | |
![]() | H4340RBCA | RES 340 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4340RBCA.pdf | |
![]() | AVED16P748LS416-C75 | AVED16P748LS416-C75 AVEDMEMORYPRODUCTS SMD or Through Hole | AVED16P748LS416-C75.pdf | |
![]() | ADR-255SA | ADR-255SA NOBLE SMD or Through Hole | ADR-255SA.pdf | |
![]() | H8BCSOSIOMBR-46M-C | H8BCSOSIOMBR-46M-C HYNIX BGA | H8BCSOSIOMBR-46M-C.pdf | |
![]() | HB-183 | HB-183 ORIGINAL SMD or Through Hole | HB-183.pdf | |
![]() | PM6610-2( CD90-V47 | PM6610-2( CD90-V47 Qualcomm QFN32 | PM6610-2( CD90-V47.pdf | |
![]() | SML-D12M8W | SML-D12M8W ROHM SMD or Through Hole | SML-D12M8W.pdf | |
![]() | TLESVA0J226M8RE | TLESVA0J226M8RE NEC SMD or Through Hole | TLESVA0J226M8RE.pdf | |
![]() | PBCY78VII | PBCY78VII ORIGINAL SMD or Through Hole | PBCY78VII.pdf | |
![]() | PEB2086N S9610AD | PEB2086N S9610AD ORIGINAL SMD or Through Hole | PEB2086N S9610AD.pdf |