창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GL200F35IET | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ATSSMGL (GL) Series Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 수정 | |
| 제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
| 계열 | ATSSMGL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MHz 수정 | |
| 주파수 | 20MHz | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 허용 오차 | ±30ppm | |
| 부하 정전 용량 | 20pF | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 30옴 | |
| 작동 모드 | 기본 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | HC49/US | |
| 크기/치수 | 0.461" L x 0.197" W(11.70mm x 5.00mm) | |
| 높이 | 0.142"(3.60mm) | |
| 표준 포장 | 100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GL200F35IET | |
| 관련 링크 | GL200F, GL200F35IET 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 | |
![]() | R79PC1100AA40J | 1000pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | R79PC1100AA40J.pdf | |
![]() | LDEDG4470KA0N00 | 4.7µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 5040 (127102 Metric) 0.512" L x 0.409" W (13.00mm x 10.40mm) | LDEDG4470KA0N00.pdf | |
![]() | ERJ-1GEF6802C | RES SMD 68K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF6802C.pdf | |
![]() | MCR03EZPFX1543 | RES SMD 154K OHM 1% 1/10W 0603 | MCR03EZPFX1543.pdf | |
![]() | 271M400K022 | 271M400K022 cd SMD or Through Hole | 271M400K022.pdf | |
![]() | MM74HC74AMTCX | MM74HC74AMTCX FSC TSSOP14 | MM74HC74AMTCX.pdf | |
![]() | CSACV33.86MXJ040-TC(3.1*3.7) | CSACV33.86MXJ040-TC(3.1*3.7) muRata SMD(3P) | CSACV33.86MXJ040-TC(3.1*3.7).pdf | |
![]() | RCCIC6445P01 | RCCIC6445P01 R QFP | RCCIC6445P01.pdf | |
![]() | 2SC4117-GR(TE85L.F | 2SC4117-GR(TE85L.F TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC4117-GR(TE85L.F.pdf | |
![]() | RB715FT | RB715FT ROHM SOT323 | RB715FT.pdf | |
![]() | 789024B48 | 789024B48 NEC QFP | 789024B48.pdf | |
![]() | MMBV3401LT1G. | MMBV3401LT1G. ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | MMBV3401LT1G..pdf |