창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GJM1555C1H100JB01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GJM1555C1H100JB01x Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GJM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 10pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 490-3113-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GJM1555C1H100JB01D | |
관련 링크 | GJM1555C1H, GJM1555C1H100JB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
CBR08C130GAGAC | 13pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C130GAGAC.pdf | ||
8532-11J | 6.8µH Unshielded Inductor 3.69A 26 mOhm Max 2-SMD | 8532-11J.pdf | ||
S4924-274H | 270µH Shielded Inductor 228mA 5.8 Ohm Max Nonstandard | S4924-274H.pdf | ||
OP200A/883 | OP200A/883 PMI SMD or Through Hole | OP200A/883.pdf | ||
CDC2-BATCH-D | CDC2-BATCH-D INTEL QFP BGA | CDC2-BATCH-D.pdf | ||
AD744TQ/883B | AD744TQ/883B AD SMD or Through Hole | AD744TQ/883B.pdf | ||
OICTMSA002C | OICTMSA002C SANYO DIP64 | OICTMSA002C.pdf | ||
K5N2828ATM | K5N2828ATM SEC BGA | K5N2828ATM.pdf | ||
YMD-12T03B | YMD-12T03B ORIGINAL DIP SOP | YMD-12T03B.pdf | ||
CS8F-700 | CS8F-700 FUJI SMD or Through Hole | CS8F-700.pdf | ||
K6E0808V1E-TC12 | K6E0808V1E-TC12 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6E0808V1E-TC12.pdf |