창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GJM0335C1E9R2DB01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GJM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 9.2pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 25V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 15,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GJM0335C1E9R2DB01D | |
| 관련 링크 | GJM0335C1E, GJM0335C1E9R2DB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | CL31C102JDFNNNE | 1000pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C102JDFNNNE.pdf | |
![]() | TMP01DJ/883 | TMP01DJ/883 AD CAN | TMP01DJ/883.pdf | |
![]() | 019N02KS | 019N02KS INFINEON QFN8 | 019N02KS.pdf | |
![]() | 2SC5081(ZD-) | 2SC5081(ZD-) ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC5081(ZD-).pdf | |
![]() | 47W60C3 | 47W60C3 SHINDENGEN TO-247 | 47W60C3.pdf | |
![]() | SED1561T02 | SED1561T02 ORIGINAL TQFP | SED1561T02.pdf | |
![]() | 87541VDG/ K2 B2 | 87541VDG/ K2 B2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 87541VDG/ K2 B2.pdf | |
![]() | CF642615PPM | CF642615PPM TI QFP | CF642615PPM.pdf | |
![]() | C5826-R-Q | C5826-R-Q ORIGINAL 251-252 | C5826-R-Q.pdf | |
![]() | TPIC68B595 | TPIC68B595 ORIGINAL DIP | TPIC68B595.pdf | |
![]() | K4S643232H-TC60T00 | K4S643232H-TC60T00 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S643232H-TC60T00.pdf |