창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GJM0335C1E4R9BB01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs GJM0335C1E4R9BB01 Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GJM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4.9pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GJM0335C1E4R9BB01D | |
관련 링크 | GJM0335C1E, GJM0335C1E4R9BB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
![]() | 416F36035CTT | 36MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36035CTT.pdf | |
![]() | CMF55806R00DHRE | RES 806 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55806R00DHRE.pdf | |
![]() | 50CV390AX | 50CV390AX SANYO 12.513.5 | 50CV390AX.pdf | |
![]() | BLM31PG12121N1 | BLM31PG12121N1 MURATA SMD or Through Hole | BLM31PG12121N1.pdf | |
![]() | 85015001XAB6051 | 85015001XAB6051 HARRIS SMD or Through Hole | 85015001XAB6051.pdf | |
![]() | LVT816C | LVT816C LITEON SOP4 | LVT816C.pdf | |
![]() | ECQK1155JG | ECQK1155JG panasonic SMD or Through Hole | ECQK1155JG.pdf | |
![]() | M24C02-RMN6T | M24C02-RMN6T ST SOP-8 | M24C02-RMN6T.pdf | |
![]() | LT1175CST-5#TRPBF | LT1175CST-5#TRPBF RENESAS SMD or Through Hole | LT1175CST-5#TRPBF.pdf | |
![]() | A3175HBL P/N:TC.R. | A3175HBL P/N:TC.R. SUNON SMD or Through Hole | A3175HBL P/N:TC.R..pdf | |
![]() | SBLB20L15 | SBLB20L15 VISHAY TO263 | SBLB20L15.pdf | |
![]() | NFM21PC104 | NFM21PC104 MURATA SMD | NFM21PC104.pdf |