창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GJM0335C1E2R4BB01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GRM Series Data Graphs GJM0335C1E2R4BB01 Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GJM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2.4pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 15,000 | |
다른 이름 | 490-11179-2 GJM0335C1E2R4BB01D-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GJM0335C1E2R4BB01D | |
관련 링크 | GJM0335C1E, GJM0335C1E2R4BB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
![]() | Y078566R4000B9L | RES 66.4 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y078566R4000B9L.pdf | |
![]() | S3F9498XZZ-AQ98 | S3F9498XZZ-AQ98 SAMSUNG DIP | S3F9498XZZ-AQ98.pdf | |
![]() | 1302CB1 | 1302CB1 ST DIP-8 | 1302CB1.pdf | |
![]() | MM1Z13 | MM1Z13 ST SOD-123 | MM1Z13.pdf | |
![]() | 52476725 | 52476725 ORIGINAL SMD or Through Hole | 52476725.pdf | |
![]() | ML-S198PG01-S1-00 | ML-S198PG01-S1-00 ORIGINAL SMD or Through Hole | ML-S198PG01-S1-00.pdf | |
![]() | P82C212 | P82C212 CHIPS PLCC | P82C212.pdf | |
![]() | 28FKZ-RSM1-2-TB(LF)(SN) | 28FKZ-RSM1-2-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | 28FKZ-RSM1-2-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | D6SBA40H | D6SBA40H SHINDEN DIP-4 | D6SBA40H.pdf | |
![]() | L192EC-TR | L192EC-TR AOPLED ROHS | L192EC-TR.pdf | |
![]() | HSMD-C670 | HSMD-C670 AVAGO SMD or Through Hole | HSMD-C670.pdf |