창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GEMS2305987-3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GEMS2305987-3 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | QFP-128 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GEMS2305987-3 | |
관련 링크 | GEMS230, GEMS2305987-3 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MKP383356063JFM2B0 | 0.56µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | MKP383356063JFM2B0.pdf | |
![]() | 416F270X3CSR | 27MHz ±15ppm 수정 시리즈 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F270X3CSR.pdf | |
![]() | BAV21WS-G3-08 | DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323 | BAV21WS-G3-08.pdf | |
![]() | PLT0603Z3012LBTS | RES SMD 30.1K OHM 0.15W 0603 | PLT0603Z3012LBTS.pdf | |
![]() | R1114Q181D | R1114Q181D RICOH SOT-343 | R1114Q181D.pdf | |
![]() | ADC1113S125HN/C1:5 | ADC1113S125HN/C1:5 NXP SMD or Through Hole | ADC1113S125HN/C1:5.pdf | |
![]() | TG12-0756F | TG12-0756F HALO SMD or Through Hole | TG12-0756F.pdf | |
![]() | RG888KGES | RG888KGES INTEL BGA | RG888KGES.pdf | |
![]() | SAA5496MCP/012 | SAA5496MCP/012 PHI DIP | SAA5496MCP/012.pdf | |
![]() | LM809M3X-4.0 | LM809M3X-4.0 NS SOT23 | LM809M3X-4.0.pdf | |
![]() | 7MBR75VZ120-50 | 7MBR75VZ120-50 FUJI SMD or Through Hole | 7MBR75VZ120-50.pdf | |
![]() | LTC3071 | LTC3071 LT QFN | LTC3071.pdf |