창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GEFORCE256 DDR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GEFORCE256 DDR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GEFORCE256 DDR | |
| 관련 링크 | GEFORCE2, GEFORCE256 DDR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D360GXAAP | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D360GXAAP.pdf | |
![]() | F1778410M2DLB0 | 0.1µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | F1778410M2DLB0.pdf | |
![]() | 7MBI75N060 | 7MBI75N060 FUJI SMD or Through Hole | 7MBI75N060.pdf | |
![]() | 1210U1R5A202SNT | 1210U1R5A202SNT WAS SMD | 1210U1R5A202SNT.pdf | |
![]() | TMS27C020-15JL/12JL | TMS27C020-15JL/12JL TI DIP | TMS27C020-15JL/12JL.pdf | |
![]() | 16170 2277980 | 16170 2277980 TSC SOP58 | 16170 2277980.pdf | |
![]() | CYP15GO401DXB | CYP15GO401DXB CY BGA | CYP15GO401DXB.pdf | |
![]() | IULN2003AN | IULN2003AN TI DIP | IULN2003AN.pdf | |
![]() | SI78880DP | SI78880DP VISHAY SO-8 | SI78880DP.pdf | |
![]() | LXV10VB330 | LXV10VB330 NIPPON SMD or Through Hole | LXV10VB330.pdf | |
![]() | IX0689C | IX0689C SHARP SIP14 | IX0689C.pdf | |
![]() | RKZ24AKU | RKZ24AKU RENESAS SOD-323 | RKZ24AKU.pdf |