창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GEFORCE-DDR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GEFORCE-DDR3 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | FBGA3535 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GEFORCE-DDR3 | |
관련 링크 | GEFORCE, GEFORCE-DDR3 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | EEE-TKH681UAM | 680µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 150 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 125°C | EEE-TKH681UAM.pdf | |
![]() | IMC1008ER6R8J | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 165mA 2.8 Ohm Max 1008 (2520 Metric) | IMC1008ER6R8J.pdf | |
![]() | UCC2808AD-1G4 | Converter Offline Full-Bridge, Half-Bridge, Push-Pull Topology 1MHz 8-SOIC | UCC2808AD-1G4.pdf | |
![]() | XCP5108TQ100AEM | XCP5108TQ100AEM XILINX QFP-100 | XCP5108TQ100AEM.pdf | |
![]() | H11B2XG | H11B2XG ISOCOM SMD or Through Hole | H11B2XG.pdf | |
![]() | FN3275H-80-35 | FN3275H-80-35 Schaffner SMD or Through Hole | FN3275H-80-35.pdf | |
![]() | 6605444-6 | 6605444-6 TE NA | 6605444-6.pdf | |
![]() | slbf22b | slbf22b amphenol SMD or Through Hole | slbf22b.pdf | |
![]() | LT6200CS6-5#PBF | LT6200CS6-5#PBF LINEAR TSOT23-6 | LT6200CS6-5#PBF.pdf | |
![]() | LT3461ES6 TEL:82766440 | LT3461ES6 TEL:82766440 LT SMD or Through Hole | LT3461ES6 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1N5811C3 | 1N5811C3 Microsemi NA | 1N5811C3.pdf | |
![]() | NTED5110NT1G | NTED5110NT1G ON SMD or Through Hole | NTED5110NT1G.pdf |