창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GEFORCE GT100 512MB DDR2(LP) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GEFORCE GT100 512MB DDR2(LP) | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GEFORCE GT100 512MB DDR2(LP) | |
관련 링크 | GEFORCE GT100 51, GEFORCE GT100 512MB DDR2(LP) 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | LC18 | TVS DIODE 18VWM 32.2VC DO202AA | LC18.pdf | |
![]() | RCP0603B160RJTP | RES SMD 160 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B160RJTP.pdf | |
![]() | APT1608LQWF/D | APT1608LQWF/D KINGBRIGHT PBFREE | APT1608LQWF/D.pdf | |
![]() | U630H64 | U630H64 ZMD DIP-28 | U630H64.pdf | |
![]() | FX-A32E-500CBA | FX-A32E-500CBA MIT SMD or Through Hole | FX-A32E-500CBA.pdf | |
![]() | TISP5080M3BJR-S | TISP5080M3BJR-S BOURNS DO214AA | TISP5080M3BJR-S.pdf | |
![]() | FX8C-100P-SV1(71) | FX8C-100P-SV1(71) HIROSE SMD or Through Hole | FX8C-100P-SV1(71).pdf | |
![]() | P1166.124T | P1166.124T PULSE SMD or Through Hole | P1166.124T.pdf | |
![]() | CDT11181-1.5J | CDT11181-1.5J CDT SOT89-3 | CDT11181-1.5J.pdf | |
![]() | SKM100GA163D | SKM100GA163D SEMIKRON MODULE | SKM100GA163D.pdf |