창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GE28F640J3C-115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GE28F640J3C-115 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GE28F640J3C-115 | |
| 관련 링크 | GE28F640J, GE28F640J3C-115 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | PE-53630NLT | 1.01µH Unshielded Toroidal Inductor 3.4A 11 mOhm Max Nonstandard | PE-53630NLT.pdf | |
![]() | RCP2512B43R0JS2 | RES SMD 43 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B43R0JS2.pdf | |
![]() | CRCW12062R21FNEB | RES SMD 2.21 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12062R21FNEB.pdf | |
![]() | TA025PW150RJE | RES 150 OHM 25W 5% RADIAL | TA025PW150RJE.pdf | |
![]() | K4M56323PI-HG750JR | K4M56323PI-HG750JR SAMSUNG SMD or Through Hole | K4M56323PI-HG750JR.pdf | |
![]() | V50BXS04 | V50BXS04 Z-COMM SMD or Through Hole | V50BXS04.pdf | |
![]() | RM2203GOR | RM2203GOR RAYDIUM QFN32 | RM2203GOR.pdf | |
![]() | MCT210.3S | MCT210.3S FAIRCHILD SOP-6 | MCT210.3S.pdf | |
![]() | LT635 | LT635 LT SMD or Through Hole | LT635.pdf | |
![]() | ICS2008 | ICS2008 ORIGINAL PLCC44 | ICS2008.pdf | |
![]() | AOZ1046A | AOZ1046A AOS SOP8 | AOZ1046A.pdf | |
![]() | TMCP0G335MTR | TMCP0G335MTR HITACHI SMD | TMCP0G335MTR.pdf |