창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GDZ8V2LP3-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GDZ5V1LP3 - GDZ8V2LP3 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-X3-DFN0603 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | GDZ8V2LP3-7DITR GDZ8V2LP37 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GDZ8V2LP3-7 | |
| 관련 링크 | GDZ8V2, GDZ8V2LP3-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | B43501E2477M82 | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 210 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43501E2477M82.pdf | |
![]() | 445I35K16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35K16M00000.pdf | |
![]() | FXO-HC730R-32 | 32MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC730R-32.pdf | |
![]() | ERJ-P08J203V | RES SMD 20K OHM 5% 2/3W 1206 | ERJ-P08J203V.pdf | |
![]() | F20C20 | F20C20 MOSPEC SMD or Through Hole | F20C20.pdf | |
![]() | G1080-B120-A262 | G1080-B120-A262 ORIGINAL SMD or Through Hole | G1080-B120-A262.pdf | |
![]() | UMY722 | UMY722 SANYU SOP-6 | UMY722.pdf | |
![]() | TL431AQDBZ | TL431AQDBZ TI SOT-23 | TL431AQDBZ.pdf | |
![]() | 842915-8 | 842915-8 TYCO con | 842915-8.pdf | |
![]() | GL811 | GL811 ORIGINAL SMD or Through Hole | GL811.pdf | |
![]() | NS31E | NS31E ORIGINAL SMD or Through Hole | NS31E.pdf | |
![]() | XC5VLX50-3FFG676C | XC5VLX50-3FFG676C XILINX BGA | XC5VLX50-3FFG676C.pdf |