창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GDZ6V2B-V-GS08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GDZ6V2B-V-GS08 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | 0805-6.2V | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GDZ6V2B-V-GS08 | |
관련 링크 | GDZ6V2B-, GDZ6V2B-V-GS08 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | L17T070.T | FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR | L17T070.T.pdf | |
![]() | 1KSMB13A | TVS DIODE 11.1VWM 18.2VC SMD | 1KSMB13A.pdf | |
![]() | MP508-BP | RECT BRIDGE 50A 800V TAB | MP508-BP.pdf | |
![]() | ESR25JZPF16R0 | RES SMD 16 OHM 1% 1/2W 1210 | ESR25JZPF16R0.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF8060U | RES SMD 806 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF8060U.pdf | |
![]() | TE28F640J3D-75ES | TE28F640J3D-75ES Intel SMD or Through Hole | TE28F640J3D-75ES.pdf | |
![]() | LS040V7DD02(92) | LS040V7DD02(92) SHARP SMD or Through Hole | LS040V7DD02(92).pdf | |
![]() | E3JK-DS30M1 2M | E3JK-DS30M1 2M OMRON SMD or Through Hole | E3JK-DS30M1 2M.pdf | |
![]() | WJLXT972ALC.A4S | WJLXT972ALC.A4S INTEL BGA | WJLXT972ALC.A4S.pdf | |
![]() | P61D1690N341T-TPUH | P61D1690N341T-TPUH MAGNACHIP QFN-8 | P61D1690N341T-TPUH.pdf | |
![]() | 74HC4351D.653 | 74HC4351D.653 NXP na | 74HC4351D.653.pdf |