창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GDZ3V6B-V-G-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GDZ3V6B-V-G-18 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOD-323 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GDZ3V6B-V-G-18 | |
관련 링크 | GDZ3V6B-, GDZ3V6B-V-G-18 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | GRM1555C1H5R3WZ01D | 5.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H5R3WZ01D.pdf | |
![]() | BFC233812103 | 10000pF Film Capacitor 440V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC233812103.pdf | |
![]() | SMCJ51AE3/TR13 | TVS DIODE 51VWM 82.4VC SMCJ | SMCJ51AE3/TR13.pdf | |
![]() | IPW65R110CFDAFKSA1 | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 | IPW65R110CFDAFKSA1.pdf | |
![]() | 40ST8062C | 40ST8062C BOTHHAND SOPDIP | 40ST8062C.pdf | |
![]() | LAH-35V562MS2 | LAH-35V562MS2 ELNA DIP | LAH-35V562MS2.pdf | |
![]() | MC34164P-3G | MC34164P-3G ORIGINAL SMD or Through Hole | MC34164P-3G.pdf | |
![]() | ERE74-005 | ERE74-005 FUJI SMD or Through Hole | ERE74-005.pdf | |
![]() | R0K521237S001BE | R0K521237S001BE REN SMD or Through Hole | R0K521237S001BE.pdf | |
![]() | ASC-170BL4T-03 | ASC-170BL4T-03 ORIGINAL SMD | ASC-170BL4T-03.pdf | |
![]() | WH2-085D0-023N | WH2-085D0-023N NA SMD or Through Hole | WH2-085D0-023N.pdf | |
![]() | D27C1024A20 | D27C1024A20 NEC SMD or Through Hole | D27C1024A20.pdf |