창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GDZ11B-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GDZ Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
허용 오차 | ±4% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 30옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GDZ11B-HE3-08 | |
관련 링크 | GDZ11B-, GDZ11B-HE3-08 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 0402ESDB-MLP1 | DIODE PROTECTION | 0402ESDB-MLP1.pdf | |
![]() | MCS04020C4750FE000 | RES SMD 475 OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C4750FE000.pdf | |
![]() | TA303PA33R0J | RES 33 OHM 3W 5% RADIAL | TA303PA33R0J.pdf | |
![]() | S470J29SL0P63K5R | S470J29SL0P63K5R VISHAY DIP | S470J29SL0P63K5R.pdf | |
![]() | 45357A | 45357A NEC SMD or Through Hole | 45357A.pdf | |
![]() | ST183S08MFL0 | ST183S08MFL0 IR SMD or Through Hole | ST183S08MFL0.pdf | |
![]() | M76 XT-M 216XJBKA13FG | M76 XT-M 216XJBKA13FG NVIDIA BGA | M76 XT-M 216XJBKA13FG.pdf | |
![]() | CK=CM | CK=CM RICHTEK QFN | CK=CM.pdf | |
![]() | 4204K | 4204K BB DIP | 4204K.pdf | |
![]() | OPA2357AIDGS | OPA2357AIDGS TI SSOP-10 | OPA2357AIDGS.pdf | |
![]() | LM336BD-2-5 * | LM336BD-2-5 * TIS Call | LM336BD-2-5 *.pdf | |
![]() | KSB1116AGTA | KSB1116AGTA FAIRCHILD TO92 | KSB1116AGTA.pdf |