창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GBM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GBM | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GBM | |
| 관련 링크 | G, GBM 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 9C12020001 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C12020001.pdf | |
![]() | 416F271XXAKT | 27.12MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271XXAKT.pdf | |
![]() | LQM21NNR10K10D | 100nH Shielded Multilayer Inductor 250mA 260 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQM21NNR10K10D.pdf | |
![]() | SHL25VB330M | SHL25VB330M ORIGINAL SMD or Through Hole | SHL25VB330M.pdf | |
![]() | S5295G(TPA2) | S5295G(TPA2) Toshiba SMD or Through Hole | S5295G(TPA2).pdf | |
![]() | HS570TP | HS570TP ORIGINAL DIP-28 | HS570TP.pdf | |
![]() | MT4LC16M4A7TG-5D | MT4LC16M4A7TG-5D MICRONTECH TSOP | MT4LC16M4A7TG-5D.pdf | |
![]() | 1327G8-BK | 1327G8-BK ANDERSON SMD or Through Hole | 1327G8-BK.pdf | |
![]() | Z10 | Z10 ORIGINAL SMD or Through Hole | Z10.pdf | |
![]() | 763S020/SO170 | 763S020/SO170 SEI SOP20 | 763S020/SO170.pdf | |
![]() | EN87C51FC1 | EN87C51FC1 INTEL PLCC | EN87C51FC1.pdf | |
![]() | LEATBS2W-QDRT/ELV | LEATBS2W-QDRT/ELV LIGHTING SMD or Through Hole | LEATBS2W-QDRT/ELV.pdf |