- GBD160808PGH600N
GBD160808PGH600N 가격 및 조달
가능 수량
39850 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GBD160808PGH600N 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. GBD160808PGH600N 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GBD160808PGH600N가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GBD160808PGH600N 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GBD160808PGH600N 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GBD160808PGH600N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GBD160808PGH600N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GBD160808PGH600N | |
| 관련 링크 | GBD160808, GBD160808PGH600N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
GBD160808PGH600N 의 관련 제품
 | RS3J-E3/9AT | DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB | RS3J-E3/9AT.pdf | |
 | IPZ65R019C7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V TO247-4 | IPZ65R019C7XKSA1.pdf | |
| CMD4D11NP-6R8MC | 6.8µH Unshielded Inductor 620mA 296 mOhm Max Nonstandard | CMD4D11NP-6R8MC.pdf | |
 | CP001025R00KE14 | RES 25 OHM 10W 10% AXIAL | CP001025R00KE14.pdf | |
| EPC16UC88AA | EPC16UC88AA Altera SMD or Through Hole | EPC16UC88AA.pdf | |
| CBB22 630V104J P10 | CBB22 630V104J P10 ORIGINAL SMD or Through Hole | CBB22 630V104J P10.pdf | |
| FJV3W | FJV3W ORIGINAL SMD or Through Hole | FJV3W.pdf | |
| TMP88CS38N1B16 | TMP88CS38N1B16 TOS DIP | TMP88CS38N1B16.pdf | |
| LD3985XX24 | LD3985XX24 ST CSPS0.65 5 pitch 0.5 | LD3985XX24.pdf | |
| LTL-93BCKZS-TC | LTL-93BCKZS-TC LTEON SOD123 | LTL-93BCKZS-TC.pdf | |
| IR21593STRPBF | IR21593STRPBF I SOP | IR21593STRPBF.pdf | |
| PCF8574T/F4 | PCF8574T/F4 PHI SOP | PCF8574T/F4.pdf |