창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITION | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | eGaN® FETs Selection Guide Wireless Power Handbook Second Edition | |
주요제품 | GaN Wireless Power Handbook 2nd Edition | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 부속품 | |
제조업체 | EPC | |
계열 | eGaN® | |
부품 현황 | 유효 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 917-1136 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITION | |
관련 링크 | GAN FET BOOK - WIP, GAN FET BOOK - WIPO 2ND EDITION 데이터 시트, EPC 에이전트 유통 |
UCX1E152MNS1MS | 1500µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 50 mOhm 2000 Hrs @ 135°C | UCX1E152MNS1MS.pdf | ||
BAL99-E3-18 | DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23 | BAL99-E3-18.pdf | ||
IMC1812ES47NM | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 300 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ES47NM.pdf | ||
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2547P0999 | 2547P0999 POWERC QFP | 2547P0999.pdf | ||
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SST89E564RD-40-I-N | SST89E564RD-40-I-N STT QFP | SST89E564RD-40-I-N.pdf | ||
C0603C0G1H040DT | C0603C0G1H040DT TDK SMD or Through Hole | C0603C0G1H040DT.pdf |