창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GAL20V8S-25EBI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GAL20V8S-25EBI | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | DIP24 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GAL20V8S-25EBI | |
관련 링크 | GAL20V8S, GAL20V8S-25EBI 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | MKP385512160JPI2T0 | 1.2µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP385512160JPI2T0.pdf | |
![]() | 744825510 | 10mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 5A DCR 55 mOhm | 744825510.pdf | |
RLF10160T-330M1R8-D | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 79.2 mOhm Max Nonstandard | RLF10160T-330M1R8-D.pdf | ||
![]() | NLCV32T-2R2M-EFRD | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 138 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLCV32T-2R2M-EFRD.pdf | |
![]() | KDV214E | KDV214E KEC SOD-523 | KDV214E.pdf | |
![]() | 8TQ080S | 8TQ080S IR TO-263 | 8TQ080S.pdf | |
![]() | 09N65 | 09N65 FUJI SMD or Through Hole | 09N65.pdf | |
![]() | 30-50WHS-40E18 | 30-50WHS-40E18 ORIGINAL SMD or Through Hole | 30-50WHS-40E18.pdf | |
![]() | MAX683EUA-T | MAX683EUA-T MAX SMD or Through Hole | MAX683EUA-T.pdf | |
![]() | BZX84C75LT3 | BZX84C75LT3 ON N A | BZX84C75LT3.pdf | |
![]() | HD62602AF | HD62602AF HITCHIA SMD or Through Hole | HD62602AF.pdf | |
![]() | K7R643682M-FI25 | K7R643682M-FI25 SAMSUNG BGA | K7R643682M-FI25.pdf |