창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA50JT12-247 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GA50JT12-247 | |
설계 리소스 | GA50JT12-247 Spice Model | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 50A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7209pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 583W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AB | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 1242-1191 GA50JT12247 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GA50JT12-247 | |
관련 링크 | GA50JT1, GA50JT12-247 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SA102C471JAA | 470pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102C471JAA.pdf | |
![]() | RHE750 | POLYSWITCH RHE SERIES 7.5A HOLD | RHE750.pdf | |
![]() | CMF501K1800FHEB | RES 1.18K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF501K1800FHEB.pdf | |
![]() | TC1016-2.8VCTTR. | TC1016-2.8VCTTR. MICROCHIP SMD or Through Hole | TC1016-2.8VCTTR..pdf | |
![]() | M38254M6-304FP | M38254M6-304FP MIT SMD or Through Hole | M38254M6-304FP.pdf | |
![]() | 17885A | 17885A ORIGINAL TSSOP | 17885A.pdf | |
![]() | STD3NB30-1 | STD3NB30-1 ST TO251 | STD3NB30-1.pdf | |
![]() | TCM506AP | TCM506AP TI DIP-8 | TCM506AP.pdf | |
![]() | 0221-2741-B0 | 0221-2741-B0 ORIGINAL DIP | 0221-2741-B0.pdf | |
![]() | AD4C250H | AD4C250H SSOUSA DIP8 | AD4C250H.pdf | |
![]() | 2SD5803 | 2SD5803 FAI SMD or Through Hole | 2SD5803.pdf | |
![]() | BUK575-60 | BUK575-60 IR SMD or Through Hole | BUK575-60.pdf |