창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA20JT12-263 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GA20JT12-263 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 20A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3091pF @ 800V | |
전력 - 최대 | 282W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | - | |
패키지/케이스 | - | |
공급 장치 패키지 | - | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 1242-1189 GA20JT12-247ISO GA20JT12247ISO | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GA20JT12-263 | |
관련 링크 | GA20JT1, GA20JT12-263 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 06035A1R2CAT2A | 1.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A1R2CAT2A.pdf | |
![]() | GRM1555C2A9R1DA01J | 9.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A9R1DA01J.pdf | |
![]() | SIT9121AI-1D3-33E156.25000T | OSC XO 3.3V 156.25MHZ OE | SIT9121AI-1D3-33E156.25000T.pdf | |
![]() | FXO-HC730R-70 | 70MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730R-70.pdf | |
![]() | 29CD016J1MFAM11 | 29CD016J1MFAM11 BGA SPANSION | 29CD016J1MFAM11.pdf | |
![]() | 33333 | 33333 MOT ZIP-11 | 33333.pdf | |
![]() | NCP4115VKR2 | NCP4115VKR2 ONSEMI LFBGA-64 | NCP4115VKR2.pdf | |
![]() | M0130SL220 | M0130SL220 WESTCODE MODULE | M0130SL220.pdf | |
![]() | TSB150004DS | TSB150004DS BUCHANAN SMD or Through Hole | TSB150004DS.pdf | |
![]() | EVM3ESX50B13 1K | EVM3ESX50B13 1K PANASONIC SMD or Through Hole | EVM3ESX50B13 1K.pdf | |
![]() | 50V470UF 10X20 | 50V470UF 10X20 JWCO SMD or Through Hole | 50V470UF 10X20.pdf | |
![]() | LL216B11E104MA01L | LL216B11E104MA01L ORIGINAL SMD or Through Hole | LL216B11E104MA01L.pdf |