창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GA10SICP12-247 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GA10SICP12-247 Datasheet | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 전력 구동기 - 모듈 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | - | |
| 구성 | - | |
| 전류 | 10A | |
| 전압 | 1200V | |
| 전압 - 분리 | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 1242-1193 GA10SICP12247 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GA10SICP12-247 | |
| 관련 링크 | GA10SICP, GA10SICP12-247 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ABM10AIG-16.000MHZ-D2Z-T3 | 16MHz ±20ppm 수정 10pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10AIG-16.000MHZ-D2Z-T3.pdf | |
![]() | 1N5260C-TAP | DIODE ZENER 3A 43V DO35 | 1N5260C-TAP.pdf | |
![]() | MMB02070C2400FB700 | RES SMD 240 OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C2400FB700.pdf | |
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![]() | 8807AEHE | 8807AEHE AEHE SOP | 8807AEHE.pdf | |
![]() | K4H560838F-TCB3 | K4H560838F-TCB3 SAMSUNG TSOP | K4H560838F-TCB3.pdf | |
![]() | 20V8H-15PC | 20V8H-15PC AMD DIP | 20V8H-15PC.pdf | |
![]() | MAX901AESE-T | MAX901AESE-T MAXIM SOP16 | MAX901AESE-T.pdf | |
![]() | MM5486V | MM5486V NSC SMD or Through Hole | MM5486V.pdf | |
![]() | RFO-16V222MI6 | RFO-16V222MI6 ELNA DIP | RFO-16V222MI6.pdf | |
![]() | TRF2716AALB214 | TRF2716AALB214 OPV TRANS | TRF2716AALB214.pdf | |
![]() | TCSCSN1C226MDAR | TCSCSN1C226MDAR SAMSUNG SMD or Through Hole | TCSCSN1C226MDAR.pdf |