창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GA08JT17-247 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GA08JT17-247 | |
주요제품 | Silicon Carbide Transistor | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 접합 트랜지스터, 상시 꺼짐 | |
FET 특징 | 실리콘 카바이드(SiC) | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1700V(1.7kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc)(90°C) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 8A | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 16W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AB | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 1242-1135 GA08JT17247 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GA08JT17-247 | |
관련 링크 | GA08JT1, GA08JT17-247 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CMR05E620JPDR | CMR MICA | CMR05E620JPDR.pdf | |
![]() | AC0402FR-0712RL | RES SMD 12 OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-0712RL.pdf | |
![]() | TNPW04022K37BETD | RES SMD 2.37KOHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW04022K37BETD.pdf | |
![]() | AMS1117LG-3.3 | AMS1117LG-3.3 AMS SMD or Through Hole | AMS1117LG-3.3.pdf | |
![]() | 1048602 | 1048602 SAMSUNG SOP-16 | 1048602.pdf | |
![]() | GP2S29SJ000F | GP2S29SJ000F SHARP SMD or Through Hole | GP2S29SJ000F.pdf | |
![]() | SNJ55182J/7900801CA | SNJ55182J/7900801CA TI DIP | SNJ55182J/7900801CA.pdf | |
![]() | CE156F186 | CE156F186 PDT SMD or Through Hole | CE156F186.pdf | |
![]() | 7MBI100u4S-120-50 | 7MBI100u4S-120-50 FUJI SMD or Through Hole | 7MBI100u4S-120-50.pdf | |
![]() | MIC39101-2.5BM TR | MIC39101-2.5BM TR MICREL SOP8 | MIC39101-2.5BM TR.pdf | |
![]() | M54532FP, | M54532FP, MIT SMD-16 | M54532FP,.pdf | |
![]() | ESMM3B1VSN221MP30T | ESMM3B1VSN221MP30T NICHICON DIP | ESMM3B1VSN221MP30T.pdf |